北京创世威纳(图)----离子束刻蚀机原理----离子束刻蚀机

刻蚀机

刻蚀精度主要是用保真度、选择比、均匀性等参数来衡量。所谓保真度度，就是要求把光刻胶的图形转移到其下的薄膜上，即希望只刻蚀所要刻蚀的薄膜，而对其上的掩膜和其下的衬底没有刻蚀。事实上，以上三个部分都会被刻蚀，只是刻蚀速率不同。选择比就是用来衡量这一指标的参数。s=v/uv为对薄膜的刻蚀速率，---离子束刻蚀机报价，u为对掩膜或衬底的刻蚀速率，s越大则选择比越好。由于跨越整个硅片的薄膜厚度和刻蚀速率不尽相同，从而也导致图形转移的不均匀，等离子刻蚀机尤其是中心和边缘相差较大。因而均匀性成为衡量这一指标的重要参数。除以上参数外，刻蚀速率也是一个重要指标，---离子束刻蚀机安装，它用来衡量硅片的产出速度，---离子束刻蚀机，刻蚀速率越快，则产出率越高。

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